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广东可易亚半导体科技有限公司

结果: 找到相关主题 5775 个

  • MOS管 KNX4850A 9A/ 500V中文资料-原厂供货 原装正品-KIA MOS管

    MOS管 KNX4850A 9A/ 500V参数：型号：KNX4850A工作方式：9A/ 500V漏源电压：500V栅源电压:±30V单脉冲雪崩能量:400MJ峰值二极管恢复dv/dt:5.5V/ns输入电容：960pF输出电容：110pF反向转移电容：10pF栅电阻：1.3Ω

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    www.kiaic.com/article/detail/1570.html         2019-04-10

  • 变频器专用MOS管KNX42150A参数-全隔离式TO-3PF塑料封装-KIA MOS管

    变频器MOS管 KNX42150A 2.8A/ 1500V参数：型号：KNX42150A工作方式：2.8A/ 1500V漏源电压 Tj=25ºC ：1500V门-源电压：±30V连续漏电流 @Tc=25ºC：2.8A单脉冲雪崩能量:450MJ最大功耗:63W集成栅电阻:2Ω输入电容：1500pF输出电容：88pF反向转移电容...

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    www.kiaic.com/article/detail/1569.html         2019-04-10

  • 锂电池检测设备MOS管选型表大全及原厂介绍-锂电池检测设备特性-KIA MOS管

    锂电池检测设备MOS管?原厂，?深圳市可易亚半导体科技有限公司（简称KIA半导体）.是一家专业从事中、大、功率场效应管(MOSFET)、快速恢复二极管、三端稳压管开发设计，集研发、生产和销售为一体的国家高新技术企业。KIA半导体，已经拥有了独立的研发中心，研发...

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    www.kiaic.com/article/detail/1568.html         2019-04-10

  • 按摩椅MOS管应用方案-KNX9130A 40A/ 300V规格书 原厂供货-KIA MOS管

    按摩椅MOS管 KNX9130A 40A/ 300V主要参数：型号：KNX9130A工作方式：40A/ 300V漏源极电压：250V栅极到源极电压：±20V连续漏电电流：40A单脉冲雪崩能量:1250MJ二极管峰值恢复:5.0V/ns漏源击穿电压:300V二极管正向电压:1.5V输入电容:3100pF输出电容:250pF反...

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    www.kiaic.com/article/detail/1567.html         2019-04-09

  • 无刷电机专用MOS管原厂 KNX3706A 50A/60V 规格书下载-KIA MOS管

    无刷电机MOS管 KNX3706A 50A/60V主要参数：型号：KNX3706A/KNG3706A电流：50A电压：60V漏源极电压：60V栅源电压：±20V脉冲漏电流：100A单脉冲雪崩能：72.2MJ雪崩电流：38A接头和储存温度范围：-55℃至150℃

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    www.kiaic.com/article/detail/1566.html         2019-04-09

  • 电机控制器专用MOS管-MOS管规格书|MOS管封装|MOS管价格|-KIA MOS管

    电机控制器是通过主动工作来控制电机按照设定的方向、速度、角度、响应时间进行工作的集成电路。在许多应用都会用到功率低于300 W的小型电机，例如汽车、打印机、复印机、纸张处理机、工厂自动化、太空和军事载具、测试设备和机械人。整体而言，电机的产量约和...

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    www.kiaic.com/article/detail/1565.html         2019-04-09

  • MOS管 KIA5N50H 5A/500V规格书下载-价格咨询 免费送样-KIA MOS管

    MOS管 KIA5N50H 5A/500V参数：型号：KIA5N50H工作方式：5A/500V漏源电压：500V功耗:100W栅源电压:±20V单脉冲雪崩能:260MJ峰值二极管恢复dv/dt:5.0V/ns前向传导:6S输入电容:525pF输出电容：64pF反向转移电容：12pF反向恢复时间：400nS

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    www.kiaic.com/article/detail/1564.html         2019-04-08

  • KNP6140A 10A/400V MOS管原厂正品-供货稳定 价格便宜-KIA MOS管

    MOS管 KNP6140A 10A/400V参数：型号：KNP6140A工作方式：10A/400V漏源电压：400V门-源电压:±30V峰值二极管恢复dv/dt:5.0V/ns输入电容:1254pF输出电容:150pF反向转移电容：21pF

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    www.kiaic.com/article/detail/1563.html         2019-04-08

  • 分析如何消除mos管GS波形振荡及MOS管GS之间并联电阻作用-KIA MOS管

    对于电源工程师来讲，如何消除mos管的GS波形振荡，我们很多时候都在波形，看输入波形，MOS开关波形，电流波形，输出二极管波形，芯片波形，MOS管的GS波形，我们拿开关GS波形为例来聊一下GS的波形。

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    www.kiaic.com/article/detail/1562.html         2019-04-08

  • KIA品牌MOS管原厂 KIA6035A 11A/350V参数-免费送样 供货稳定-KIA MOS管

    MOS管 KIA6035A 11A/350V主要参数：型号：KIA6035A工作方式：11A/350V漏源电压：350V栅源电压:±20V脉冲漏电流:36A峰值二极管恢复dv/dt:4.5V/ns输入电容:844pF输出电容：162pF反向转移电容：4pF漏源二极管正向电压：1.4V连续漏源电流:11A

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    www.kiaic.com/article/detail/1561.html         2019-04-04

  • 意法半导体（st）品牌介绍-意法半导体（st）产品及应用领域展示-KIA MOS管

    意法半导体（st）集团于1988年6月成立，是由意大利的SGS微电子公司和法国Thomson半导体公司合并而成。1998年5月，SGS-THOMSON Microelectronics将公司名称改为意法半导体有限公司。意法半导体（st）是业内半导体产品线最广的厂商之一，从分立二极管与晶体管到复...

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    www.kiaic.com/article/detail/1560.html         2019-04-04

  • mos管导通和截止详解-mos管导通过程与条件 如何判断MOS管工作状态-KIA MOS管

    mos管导通和截止由栅源电压来控制，对于增强型场效应管来说，N沟道的管子加正向电压即导通，P沟道的管子则加反向电压。一般2V～4V就可以了。但是，场效应管分为增强型（常开型）和耗尽型（常闭型），增强型的管子是需要加电压才能导通的，而耗尽型管子本来就处...

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    www.kiaic.com/article/detail/1559.html         2019-04-04

  • MOS管 KIA18N20A 18A/200V原厂专业制造 规格书/封装/价格-KIA MOS管

    MOS管 KIA18N20A 18A/200V参数详情：型号：KIA18N20A工作方式：18A/200V漏源电压：200V连续漏电流:18A功耗:156W25℃以上的降额系数:1.25W/ºC栅源电压:±30V峰值二极管恢复dv/dt:5.0V/ns漏源击穿电压:200V前向传导:18S输入电容:1140pF输出电容:180pF反...

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    www.kiaic.com/article/detail/1558.html         2019-04-03

  • 深析mos管led驱动电路图及原理-led驱动方式-LED驱动电源解析-KIA MOS管

    mos管led驱动电路图，LED是特性敏感的半导体器件，又具有负温度特性，因而在应用过程中需要对其进行稳定工作状态和保护，从而产生了驱动的概念。LED器件对驱动电源的要求近乎于苛刻，LED不像普通的白炽灯泡，可以直接连接220V的交流市电。

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    www.kiaic.com/article/detail/1557.html         2019-04-03

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